| Barrier Height Enhancement of n-In0.53Ga0.47As Schottky Diodes Grown by MOCVD Technique |
| English |
| Kordoš, P. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, D-5170 Jülich, Germany] |
| Marso, Michel [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, D-5170 Jülich, Germany] |
| Meyer, R. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, D-5170 Jülich, Germany] |
| Lüth, H. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, D-5170 Jülich, Germany] |
| 1991 |
| Electronics Letters |
| Institution of Engineering & Technology |
| 27 |
| 1991 |
| 1759-1760 |
| Yes (verified by ORBilu) |
| 0013-5194 |
| http://hdl.handle.net/10993/20763 |