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Communication publiée dans un ouvrage (Colloques, congrès, conférences scientifiques et actes)
A Novel InGaAs Schottky-2DEG Diode
MARSO, Michel; Kordoš, P.; Fox, A. et al.
1993In Proceedings of the 5th International Conference on InP and Related Compounds, Paris, France
 

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Détails



Disciplines :
Ingénierie électrique & électronique
Identifiants :
UNILU:UL-CONFERENCE-2009-408
Auteur, co-auteur :
MARSO, Michel ;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany
Kordoš, P.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany
Fox, A.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany
Meyer, R.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany
Hardtdegen, H.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany
Lüth, H.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany
Co-auteurs externes :
yes
Langue du document :
Anglais
Titre :
A Novel InGaAs Schottky-2DEG Diode
Date de publication/diffusion :
1993
Nom de la manifestation :
5th International Conference on InP and Related Compounds, Paris, France
Date de la manifestation :
1993
Titre de l'ouvrage principal :
Proceedings of the 5th International Conference on InP and Related Compounds, Paris, France
Pagination :
397-400
Disponible sur ORBilu :
depuis le 06 avril 2015

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