[en] We report on the investigation of the room-temperature optoelectronic behavior of a metal–semiconductor–metal two-dimensional electron gas photodiode based on the two-dimensional electron gas of a high electron mobility transistor structure. The photodetector is fabricated in the InP/InGaAs material system, without use of Al-containing layers. Optoelectronic measurements on a device with a finger spacing of 3 mm show a full width at half-maximum (FWHM) of the pulse response of <60 ps, which is the resolution limit of our measurement equipment. Low-temperature measurements at 40 K with electro-optical sampling at a wavelength of 890 nm show a FWHM of 1 ps.
Disciplines :
Electrical & electronics engineering
Identifiers :
UNILU:UL-ARTICLE-2009-340
Author, co-author :
Horstmann, M.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
MARSO, Michel ; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Fox, A.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Rüders, F.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Hollfelder, M.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Hardtdegen, H.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Kordoš, P.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Lüth, H.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
External co-authors :
yes
Language :
English
Title :
InP/InGaAs Photodetector Based on a High Electron Mobility Transistor Layer Structure: Its Response at 1.3 µm wavelength
Publication date :
1995
Journal title :
Applied Physics Letters
ISSN :
0003-6951
Publisher :
American Institute of Physics, Melville, United States - New York