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Communication publiée dans un ouvrage (Colloques, congrès, conférences scientifiques et actes)
Selectively Grown Vertical Si p-MOS Transistor with Reduced Overlap Capacitances
Klaes, D.; Moers, J.; Tönnesmann, A. et al.
1998In Proceedings of the 28th European Solid State Devices Research Conference, Bordeaux, France
 

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Disciplines :
Ingénierie électrique & électronique
Identifiants :
UNILU:UL-CONFERENCE-2009-421
Auteur, co-auteur :
Klaes, D.;  Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Moers, J.;  Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Tönnesmann, A.;  Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Grimm, M.;  Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Wickenhäuser, S.;  Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Vescan, L.;  Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
MARSO, Michel ;  Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Kordoš, P.;  Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Lüth, H.;  Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Co-auteurs externes :
yes
Langue du document :
Anglais
Titre :
Selectively Grown Vertical Si p-MOS Transistor with Reduced Overlap Capacitances
Date de publication/diffusion :
1998
Nom de la manifestation :
28th European Solid State Devices Research Conference, Bordeaux, France
Date de la manifestation :
1998
Titre de l'ouvrage principal :
Proceedings of the 28th European Solid State Devices Research Conference, Bordeaux, France
Pagination :
568-571
URL complémentaire :
Disponible sur ORBilu :
depuis le 30 mars 2015

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