GaInAs camel diodes grown by MBE

MARSO, Michel; Chin, A.; Bhattacharya, P.; Beneking, H.

doi:10.1051/jphyscol:19884151

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Communication publiée dans un périodique (Colloques, congrès, conférences scientifiques et actes)

GaInAs camel diodes grown by MBE

MARSO, Michel; Chin, A.; Bhattacharya, P. et al.

1988 • In Proceedings of the 18th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC 88), Montpellier, France, 1988, J. de Physique, Colloque C4, suppl. 9, p. 4-717-C4-720

Permalien
https://hdl.handle.net/10993/20765

DOI
10.1051/jphyscol:19884151

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Détails

Disciplines :

Ingénierie électrique & électronique

Identifiants :

UNILU:UL-CONFERENCE-2009-382

Auteur, co-auteur :

MARSO, Michel ; Institut für Halbleitertechnik, Sommerfeldstraße, D-5100 Aachen, Germany

Chin, A.

Bhattacharya, P.

Beneking, H.; Institut für Halbleitertechnik, Sommerfeldstraße, D-5100 Aachen, Germany

Co-auteurs externes :

yes

Langue du document :

Anglais

Titre :

GaInAs camel diodes grown by MBE

Date de publication/diffusion :

1988

Nom de la manifestation :

18th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC 88)

Date de la manifestation :

1988

Titre du périodique :

Proceedings of the 18th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC 88), Montpellier, France, 1988, J. de Physique, Colloque C4, suppl. 9

Pagination :

C4-717-C4-720

Disponible sur ORBilu :

depuis le 06 avril 2015

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