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Article (Périodiques scientifiques)
GaInAs Camel transistors With Current Gain Above 6 at Room Temperature
MARSO, Michel; Zwinge, G.; Grützmacher, D. et al.
1991 • In Electronics Letters, 27 (1991), p. 335-337
Peer reviewed
Permalien
https://hdl.handle.net/10993/20762
DOI
10.1049/el:19910212
 

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005_EL_27_1991_335_337.pdf
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Détails


Disciplines :
Ingénierie électrique & électronique
Identifiants :
UNILU:UL-ARTICLE-2009-324
Auteur, co-auteur :
MARSO, Michel ;  nstitut für Halbleitertechnik, Sommerfeldstraße, D-5100 Aachen, Germany
Zwinge, G.;  nstitut für Halbleitertechnik, Sommerfeldstraße, D-5100 Aachen, Germany
Grützmacher, D.;  nstitut für Halbleitertechnik, Sommerfeldstraße, D-5100 Aachen, Germany
Hergeth, J.;  nstitut für Halbleitertechnik, Sommerfeldstraße, D-5100 Aachen, Germany
Beneking, H.;  nstitut für Halbleitertechnik, Sommerfeldstraße, D-5100 Aachen, Germany
Co-auteurs externes :
yes
Langue du document :
Anglais
Titre :
GaInAs Camel transistors With Current Gain Above 6 at Room Temperature
Date de publication/diffusion :
1991
Titre du périodique :
Electronics Letters
ISSN :
0013-5194
Maison d'édition :
Institution of Engineering & Technology
Volume/Tome :
27
Fascicule/Saison :
1991
Pagination :
335-337
Peer reviewed :
Peer reviewed
Disponible sur ORBilu :
depuis le 06 avril 2015

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