Schottky Barrier Height Enhancement on n-In0.53Ga0.47As

Kordoš, P.; MARSO, Michel; Meyer, R.; Lüth, H.

doi:10.1063/1.351576

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Article (Périodiques scientifiques)

Schottky Barrier Height Enhancement on n-In0.53Ga0.47As

Kordoš, P.; MARSO, Michel; Meyer, R. et al.

1992 • In Journal of Applied Physics, 72 (1992), p. 2347-2355

Peer reviewed

Permalien
https://hdl.handle.net/10993/20759

DOI
10.1063/1.351576

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Détails

Disciplines :

Ingénierie électrique & électronique

Identifiants :

UNILU:UL-ARTICLE-2009-367

Auteur, co-auteur :

Kordoš, P.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany

MARSO, Michel ; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany

Meyer, R.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany

Lüth, H.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany

Co-auteurs externes :

yes

Langue du document :

Anglais

Titre :

Schottky Barrier Height Enhancement on n-In0.53Ga0.47As

Date de publication/diffusion :

1992

Titre du périodique :

Journal of Applied Physics

ISSN :

0021-8979

Maison d'édition :

American Institute of Physics, Melville, Etats-Unis - New York

Volume/Tome :

Fascicule/Saison :

1992

Pagination :

2347-2355

Peer reviewed :

Peer reviewed

Disponible sur ORBilu :

depuis le 06 avril 2015

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