Enhanced Schottky Barriers on n-In.53Ga.47As Using pInGaAs, GaAs, InP and InGaP Surface layers

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Communication publiée dans un ouvrage (Colloques, congrès, conférences scientifiques et actes)

Kordoš, P.; MARSO, Michel; Meyer, R. et al.

1992 • In Proceedings of the 4th International Conference on InP and Related Compounds, Newport, Rhode Island, USA

Permalien
https://hdl.handle.net/10993/20758

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Disciplines :

Ingénierie électrique & électronique

Identifiants :

UNILU:UL-CONFERENCE-2009-378

Auteur, co-auteur :

Kordoš, P.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany

MARSO, Michel ; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany

Meyer, R.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany

Lüth, H.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany

Co-auteurs externes :

yes

Langue du document :

Anglais

Titre :

Enhanced Schottky Barriers on n-In.53Ga.47As Using pInGaAs, GaAs, InP and InGaP Surface layers

Date de publication/diffusion :

1992

Nom de la manifestation :

4th International Conference on InP and Related Compounds, Newport, Rhode Island, USA

Date de la manifestation :

1992

Titre de l'ouvrage principal :

Proceedings of the 4th International Conference on InP and Related Compounds, Newport, Rhode Island, USA

Pagination :

230-233

Disponible sur ORBilu :

depuis le 06 avril 2015

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