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Article (Périodiques scientifiques)
n-InGaAs Schottky Diode with Current Transport along 2DEG Channel
Kordoš, P.; MARSO, Michel; Fox, A. et al.
1992 • In Electronics Letters, 28 (1992), p. 1689-1690
Peer reviewed
Permalien
https://hdl.handle.net/10993/20756
DOI
10.1049/el:19921074
 

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011_EL_28_1992_1689_1690.pdf
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Détails


Disciplines :
Ingénierie électrique & électronique
Identifiants :
UNILU:UL-ARTICLE-2009-352
Auteur, co-auteur :
Kordoš, P.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany
MARSO, Michel ;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany
Fox, A.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany
Hollfelder, M.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany
Lüth, H.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany
Co-auteurs externes :
yes
Langue du document :
Anglais
Titre :
n-InGaAs Schottky Diode with Current Transport along 2DEG Channel
Date de publication/diffusion :
1992
Titre du périodique :
Electronics Letters
ISSN :
0013-5194
Maison d'édition :
Institution of Engineering & Technology
Volume/Tome :
28
Fascicule/Saison :
1992
Pagination :
1689-1690
Peer reviewed :
Peer reviewed
Disponible sur ORBilu :
depuis le 06 avril 2015

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