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Communication publiée dans un ouvrage (Colloques, congrès, conférences scientifiques et actes)
Optimization of Strained Ga1-xInxAs/InP Heterostructures Towards High Channel Conductivity for HEMT Application
Meyer, R.; Hardtdegen, H.; Leuther, A. et al.
1993 • In Proceedings of the 5th International Conference on InP and Related Compounds, Paris, France
Permalien
https://hdl.handle.net/10993/20755
 

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Disciplines :
Ingénierie électrique & électronique
Identifiants :
UNILU:UL-CONFERENCE-2009-413
Auteur, co-auteur :
Meyer, R.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany
Hardtdegen, H.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany
Leuther, A.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany
MARSO, Michel ;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany
Kordoš, P.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany
Lüth, H.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany
Co-auteurs externes :
yes
Langue du document :
Anglais
Titre :
Optimization of Strained Ga1-xInxAs/InP Heterostructures Towards High Channel Conductivity for HEMT Application
Date de publication/diffusion :
1993
Nom de la manifestation :
5th International Conference on InP and Related Compounds, Paris, France
Date de la manifestation :
1993
Titre de l'ouvrage principal :
Proceedings of the 5th International Conference on InP and Related Compounds, Paris, France
Pagination :
485-488
Disponible sur ORBilu :
depuis le 06 avril 2015

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