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Article (Scientific journals)
Submicrometer Silicon Permeable Base Transistors with Buried CoSi2 Gates
Schüppen, A.; Vescan, L.; MARSO, Michel et al.
1993 • In Electronics Letters, 29 (1993), p. 215-217
Peer reviewed
Permalink
https://hdl.handle.net/10993/20753
DOI
10.1049/el:19930146
 

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016_EL_29_1993_215_217.pdf
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Disciplines :
Electrical & electronics engineering
Identifiers :
UNILU:UL-ARTICLE-2009-375
Author, co-author :
Schüppen, A.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany
Vescan, L.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany
MARSO, Michel ;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany
v.d.Hart, A.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany
Lüth, H.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany
Beneking, H.;  Institut für Halbleitertechnk, Sommerfeldstraße, W-5100 Aachen, Germany
External co-authors :
yes
Language :
English
Title :
Submicrometer Silicon Permeable Base Transistors with Buried CoSi2 Gates
Publication date :
1993
Journal title :
Electronics Letters
ISSN :
0013-5194
Publisher :
Institution of Engineering & Technology
Volume :
29
Issue :
1993
Pages :
215-217
Peer reviewed :
Peer reviewed
Available on ORBilu :
since 06 April 2015

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