Schottky Barriers and Ohmic Contacts on InGaAs, Properties of Lattice-matched and strained InGaAs

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Article (Périodiques scientifiques)

Kordoš, P.; MARSO, Michel

1993 • In EMS Datareviews, (INSPEC IEE London), p. 131-155

Peer reviewed

Permalien
https://hdl.handle.net/10993/20752

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Disciplines :

Ingénierie électrique & électronique

Identifiants :

UNILU:UL-ARTICLE-2009-368

Auteur, co-auteur :

Kordoš, P.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany

MARSO, Michel ; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany

Co-auteurs externes :

yes

Langue du document :

Anglais

Titre :

Schottky Barriers and Ohmic Contacts on InGaAs, Properties of Lattice-matched and strained InGaAs

Date de publication/diffusion :

1993

Titre du périodique :

EMS Datareviews

Fascicule/Saison :

INSPEC IEE London

Pagination :

131-155

Peer reviewed :

Peer reviewed

Disponible sur ORBilu :

depuis le 06 avril 2015

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