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Paper published in a book (Scientific congresses, symposiums and conference proceedings)
A Novel InP/InGaAs Photodetector Based on a 2DEG layer structure
Marso, Michel; Horstmann, M.; Rüders, F. et al.
1994In Proceedings of the 6th International Conference on InP and Related Compounds, Santa Barbara, California USA
 

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Disciplines :
Electrical & electronics engineering
Identifiers :
UNILU:UL-CONFERENCE-2009-410
Author, co-author :
Marso, Michel ;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Horstmann, M.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Rüders, F.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Hollricher, O.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Hardtdegen, H.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Kordoš, P.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Lüth, H.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
External co-authors :
yes
Language :
English
Title :
A Novel InP/InGaAs Photodetector Based on a 2DEG layer structure
Publication date :
1994
Event name :
6th International Conference on InP and Related Compounds, Santa Barbara, California USA
Event date :
1994
Main work title :
Proceedings of the 6th International Conference on InP and Related Compounds, Santa Barbara, California USA
Pages :
512-515
Available on ORBilu :
since 05 April 2015

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