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Article (Scientific journals)
An Extended Quantum Model for Porous Silicon Formation
Frohnhoff, St; Marso, Michel; Berger, M. G. et al.
1995 • In Journal of the Electrochemical Society, 142 (1995), p. 615-620
Peer Reviewed verified by ORBi
Permalink
https://hdl.handle.net/10993/20748
DOI
10.1149/1.2044110
 

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Disciplines :
Electrical & electronics engineering
Identifiers :
UNILU:UL-ARTICLE-2009-318
Author, co-author :
Frohnhoff, St;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Marso, Michel ;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Berger, M. G.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Thönissen, M.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Lüth, H.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Münder, H.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
External co-authors :
yes
Language :
English
Title :
An Extended Quantum Model for Porous Silicon Formation
Publication date :
1995
Journal title :
Journal of the Electrochemical Society
ISSN :
0013-4651
eISSN :
1945-7111
Publisher :
Electrochemical Society
Volume :
142
Issue :
1995
Pages :
615-620
Peer reviewed :
Peer Reviewed verified by ORBi
Available on ORBilu :
since 05 April 2015

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