Ion Sensitive Field Effect Transistors with Ultrathin Langmuir-Blodgett Membranes

Reference : Ion Sensitive Field Effect Transistors with Ultrathin Langmuir-Blodgett Membranes


	Document type :	Scientific journals : Article
	Discipline(s) :	Engineering, computing & technology : Electrical & electronics engineering
	To cite this reference:	http://hdl.handle.net/10993/20745

Title :	Ion Sensitive Field Effect Transistors with Ultrathin Langmuir-Blodgett Membranes
Language :	English
Author, co-author :	Schöning, M. J. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Sauke, M. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Steffen, A. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Marso, Michel [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Kordoš, P. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Lüth, H. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Kauffmann, F. [Institut für Technologie der Elektrotechnik, Universität Karlsruhe, D-76187 Karlsruhe, Germany]
	Erbach, R. [Institut für Technologie der Elektrotechnik, Universität Karlsruhe, D-76187 Karlsruhe, Germany]
	Hoffmann, B. G. [Institut für Technologie der Elektrotechnik, Universität Karlsruhe, D-76187 Karlsruhe, Germany]
Publication date :	1995
Journal title :	Sensors and actuators. B, Chemical
Publisher :	Elsevier Science
Volume :	26-27
Issue/season :	1995
Pages :	325-328
Peer reviewed :	Yes (verified by ORBi^lu)
ISSN :	0925-4005
City :	Lausanne
Country :	Switzerland
Permalink :	http://hdl.handle.net/10993/20745

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