0.2µm T-gate InP/InGaAs/InP pHEMT with an InGaP Diffusion Barrier Layer Grown By LP-MOCVD Using an N2-carrier

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Communication publiée dans un ouvrage (Colloques, congrès, conférences scientifiques et actes)

Schimpf, K.; Hollfelder, M.; Horstmann, M. et al.

1996 • In Proceedings of the 26th European Solid State Devices Research Conference, Bologna, Italy, 1996

Permalien
https://hdl.handle.net/10993/20718

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Disciplines :

Ingénierie électrique & électronique

Auteur, co-auteur :

Schimpf, K.; Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

Hollfelder, M.; Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

Horstmann, M.; Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

MARSO, Michel ; Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

Hardtdegen; Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

Kordos, P.; Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

Co-auteurs externes :

yes

Langue du document :

Anglais

Titre :

0.2µm T-gate InP/InGaAs/InP pHEMT with an InGaP Diffusion Barrier Layer Grown By LP-MOCVD Using an N2-carrier

Date de publication/diffusion :

1996

Nom de la manifestation :

26th European Solid State Devices Research Conference, Bologna, Italy, 1996

Date de la manifestation :

1996

Titre de l'ouvrage principal :

Proceedings of the 26th European Solid State Devices Research Conference, Bologna, Italy, 1996

Disponible sur ORBilu :

depuis le 01 avril 2015

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