InP/GaInAs MSM Photodetector for Simple Integration in HEMT Circuits

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Ouvrage publié en tant qu’auteur, traducteur, etc. (Ouvrages)

Horstmann, M.; MARSO, Michel; Schimpf, K. et al.

1996 • Kluver Academic Publishers

Permalien
https://hdl.handle.net/10993/20717

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Disciplines :

Ingénierie électrique & électronique

Identifiants :

UNILU:UL-BOOK-2009-050

Auteur, co-auteur :

Horstmann, M.; Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

MARSO, Michel ; Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

Schimpf, K.; Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

Hardtdegen, H.; Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

Hollfelder, M.; Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

Kordoš, P.; Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

Novak, J.; Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

Co-auteurs externes :

yes

Langue du document :

Anglais

Titre :

InP/GaInAs MSM Photodetector for Simple Integration in HEMT Circuits

Date de publication/diffusion :

1996

Maison d'édition :

Kluver Academic Publishers

Nombre de pages :

305 - 308

Collection et n° de collection :

Heterostructure Epitaxy and Devices

Disponible sur ORBilu :

depuis le 01 avril 2015

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