0.2µm T-gate InP/InGaAs/InP pHEMT with InGaP Diffusion Barrier Layer Grown by LP-MOCVD using an N2-Carrier

No full text

Paper published in a book (Scientific congresses, symposiums and conference proceedings)

Schimpf, K.; Hollfelder, M.; Horstmann, M. et al.

1996 • In Proceedings of the 8th International Conference on InP and Related Compounds, Schwäbisch Gmünd, Germany

Permalink
https://hdl.handle.net/10993/20714

No document available.

Disciplines :

Electrical & electronics engineering

Identifiers :

UNILU:UL-CONFERENCE-2009-371

Author, co-author :

Schimpf, K.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany

Hollfelder, M.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany

Horstmann, M.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany

Marso, Michel ; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany

Hardtdegen, H.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany

Kordoš, P.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany

External co-authors :

yes

Language :

English

Title :

0.2µm T-gate InP/InGaAs/InP pHEMT with InGaP Diffusion Barrier Layer Grown by LP-MOCVD using an N2-Carrier

Publication date :

1996

Event name :

8th International Conference on InP and Related Compounds, Schwäbisch Gmünd, Germany

Event date :

1996

Main work title :

Proceedings of the 8th International Conference on InP and Related Compounds, Schwäbisch Gmünd, Germany

Pages :

666-669

Available on ORBilu :

since 01 April 2015

Number of views

1078 (7 by Unilu)

Number of downloads

0 (0 by Unilu)