0.2µm T-gate InP/InGaAs/InP pHEMT with InGaP Diffusion Barrier Layer Grown by LP-MOCVD using an N2-Carrier

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Communication publiée dans un ouvrage (Colloques, congrès, conférences scientifiques et actes)

Schimpf, K.; Hollfelder, M.; Horstmann, M. et al.

1996 • In Proceedings of the 8th International Conference on InP and Related Compounds, Schwäbisch Gmünd, Germany

Permalien
https://hdl.handle.net/10993/20714

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Disciplines :

Ingénierie électrique & électronique

Identifiants :

UNILU:UL-CONFERENCE-2009-371

Auteur, co-auteur :

Schimpf, K.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany

Hollfelder, M.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany

Horstmann, M.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany

MARSO, Michel ; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany

Hardtdegen, H.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany

Kordoš, P.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany

Co-auteurs externes :

yes

Langue du document :

Anglais

Titre :

0.2µm T-gate InP/InGaAs/InP pHEMT with InGaP Diffusion Barrier Layer Grown by LP-MOCVD using an N2-Carrier

Date de publication/diffusion :

1996

Nom de la manifestation :

8th International Conference on InP and Related Compounds, Schwäbisch Gmünd, Germany

Date de la manifestation :

1996

Titre de l'ouvrage principal :

Proceedings of the 8th International Conference on InP and Related Compounds, Schwäbisch Gmünd, Germany

Pagination :

666-669

Disponible sur ORBilu :

depuis le 01 avril 2015

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