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Paper published in a book (Scientific congresses, symposiums and conference proceedings)
0.2µm T-gate InP/InGaAs/InP pHEMT with InGaP Diffusion Barrier Layer Grown by LP-MOCVD using an N2-Carrier
Schimpf, K.; Hollfelder, M.; Horstmann, M. et al.
1996In Proceedings of the 8th International Conference on InP and Related Compounds, Schwäbisch Gmünd, Germany
 

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Disciplines :
Electrical & electronics engineering
Identifiers :
UNILU:UL-CONFERENCE-2009-371
Author, co-author :
Schimpf, K.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Hollfelder, M.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Horstmann, M.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
MARSO, Michel ;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Hardtdegen, H.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Kordoš, P.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
External co-authors :
yes
Language :
English
Title :
0.2µm T-gate InP/InGaAs/InP pHEMT with InGaP Diffusion Barrier Layer Grown by LP-MOCVD using an N2-Carrier
Publication date :
1996
Event name :
8th International Conference on InP and Related Compounds, Schwäbisch Gmünd, Germany
Event date :
1996
Main work title :
Proceedings of the 8th International Conference on InP and Related Compounds, Schwäbisch Gmünd, Germany
Pages :
666-669
Available on ORBilu :
since 01 April 2015

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