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Paper published in a book (Scientific congresses, symposiums and conference proceedings)
InP-Based Monolithically Integrated Photoreceiver for 4-10Gbit/s Optoelectronic Systems
Horstmann, M.; Hardtdegen, H.; Schimpf, K. et al.
1996 • In Proceedings of the Gallium Arsenide Application Symposium GAAS 96, Paris, France
Permalink
https://hdl.handle.net/10993/20711
 

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Disciplines :
Electrical & electronics engineering
Identifiers :
UNILU:UL-CONFERENCE-2009-390
Author, co-author :
Horstmann, M.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Hardtdegen, H.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Schimpf, K.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Muttersbach, J.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Lehmann, R.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
MARSO, Michel ;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Kordoš, P.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
External co-authors :
yes
Language :
English
Title :
InP-Based Monolithically Integrated Photoreceiver for 4-10Gbit/s Optoelectronic Systems
Publication date :
1996
Event name :
Gallium Arsenide Application Symposium GAAS 96, Paris, France
Event date :
1996
Main work title :
Proceedings of the Gallium Arsenide Application Symposium GAAS 96, Paris, France
Pages :
3B2
Available on ORBilu :
since 01 April 2015

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