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Article (Périodiques scientifiques)
16 GHz Bandwidth MSM Photodetector and 45/85 GHz fT/fmax HEMT Prepared on an Identical InGaAs/InP Layer Structure
Horstmann, M.; Schimpf, K.; MARSO, Michel et al.
1996 • In Electronics Letters, 32, p. 763-764
Peer reviewed
Permalien
https://hdl.handle.net/10993/20699
DOI
10.1049/el:19960454
 

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029_EL_32_1996_763_764.pdf
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Détails


Disciplines :
Ingénierie électrique & électronique
Identifiants :
UNILU:UL-ARTICLE-2009-290
Auteur, co-auteur :
Horstmann, M.;  Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Schimpf, K.;  Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
MARSO, Michel ;  Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Fox, A.;  Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Kordoš, P.;  Institute of Thin Film and Ion Technology (ISI), Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Co-auteurs externes :
yes
Langue du document :
Anglais
Titre :
16 GHz Bandwidth MSM Photodetector and 45/85 GHz fT/fmax HEMT Prepared on an Identical InGaAs/InP Layer Structure
Date de publication/diffusion :
1996
Titre du périodique :
Electronics Letters
ISSN :
0013-5194
Maison d'édition :
Institution of Engineering & Technology
Volume/Tome :
32
Pagination :
763-764
Peer reviewed :
Peer reviewed
Disponible sur ORBilu :
depuis le 31 mars 2015

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