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Paper published in a journal (Scientific congresses, symposiums and conference proceedings)
High Bandwidth InP/InGaAs Based MSM-2DEG Diodes For Optoelectronic Application,
Marso, Michel; Horstmann, M.; Schimpf, K. et al.
1997 • In Proceedings of the 9th International Conference on InP and Related Materials, p. 494-497
Permalink
https://hdl.handle.net/10993/20698
DOI
10.1109/ICIPRM.1997.600204
 

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Disciplines :
Electrical & electronics engineering
Identifiers :
UNILU:UL-CONFERENCE-2009-386
Author, co-author :
Marso, Michel ;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Horstmann, M.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Schimpf, K.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Muttersbach, J.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Hardtdegen, H.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Jacob, G.;  InPACT, Pomblière, F-73600 Moûtiers
Kordos, P.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
External co-authors :
yes
Language :
English
Title :
High Bandwidth InP/InGaAs Based MSM-2DEG Diodes For Optoelectronic Application,
Publication date :
1997
Event name :
9th International Conference on InP and Related Materials
Event date :
1997
Journal title :
Proceedings of the 9th International Conference on InP and Related Materials
Pages :
494-497
Available on ORBilu :
since 31 March 2015

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