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Communication publiée dans un périodique (Colloques, congrès, conférences scientifiques et actes)
High Bandwidth InP/InGaAs Based MSM-2DEG Diodes For Optoelectronic Application,
MARSO, Michel; Horstmann, M.; Schimpf, K. et al.
1997 • In Proceedings of the 9th International Conference on InP and Related Materials, p. 494-497
Permalien
https://hdl.handle.net/10993/20698
DOI
10.1109/ICIPRM.1997.600204
 

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Disciplines :
Ingénierie électrique & électronique
Identifiants :
UNILU:UL-CONFERENCE-2009-386
Auteur, co-auteur :
MARSO, Michel ;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Horstmann, M.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Schimpf, K.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Muttersbach, J.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Hardtdegen, H.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Jacob, G.;  InPACT, Pomblière, F-73600 Moûtiers
Kordos, P.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Co-auteurs externes :
yes
Langue du document :
Anglais
Titre :
High Bandwidth InP/InGaAs Based MSM-2DEG Diodes For Optoelectronic Application,
Date de publication/diffusion :
1997
Nom de la manifestation :
9th International Conference on InP and Related Materials
Date de la manifestation :
1997
Titre du périodique :
Proceedings of the 9th International Conference on InP and Related Materials
Pagination :
494-497
Disponible sur ORBilu :
depuis le 31 mars 2015

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