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Article (Périodiques scientifiques)
Electrical Behaviour of the InP/InGaAs Based MSM-2DEG Diode
MARSO, Michel; Horstmann, M.; Hardtdegen, H. et al.
1997 • In Solid-State Electronics, 41 (1997), p. 25-31
Peer reviewed vérifié par ORBi
Permalien
https://hdl.handle.net/10993/20693
DOI
10.1016/S0038-1101(96)00138-4
 

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039_SSE_41_1997_25_31.pdf
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Détails


Disciplines :
Ingénierie électrique & électronique
Identifiants :
UNILU:UL-ARTICLE-2009-314
Auteur, co-auteur :
MARSO, Michel ;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Horstmann, M.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Hardtdegen, H.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Kordoš, P.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Lüth, H.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Co-auteurs externes :
yes
Langue du document :
Anglais
Titre :
Electrical Behaviour of the InP/InGaAs Based MSM-2DEG Diode
Date de publication/diffusion :
1997
Titre du périodique :
Solid-State Electronics
ISSN :
0038-1101
Maison d'édition :
Pergamon Press - An Imprint of Elsevier Science
Volume/Tome :
41
Fascicule/Saison :
1997
Pagination :
25-31
Peer reviewed :
Peer reviewed vérifié par ORBi
Disponible sur ORBilu :
depuis le 31 mars 2015

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