[en] The optoelectronic dc and RF behavior of an InAlAs–InGaAs optically controlled field-effect transistor based on a high electron mobility transistor layer structure is investigated at 1.3- um wavelength light. The device is backside-illuminated to increase the responsivity. A transistor with 0.3-u m gate length and an active area of 50 x 50 u m2 exhibits a responsivity of 235 A/W, at 11- W incident optical power. The photoconductive response is higher than for an metal–semiconductor–metal photodetector with the same InGaAs absorption layer thickness up to 10 GHz.
Disciplines :
Electrical & electronics engineering
Identifiers :
UNILU:UL-ARTICLE-2009-332
Author, co-author :
Marso, Michel ; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Gersdorf, P.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Fox, A.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Förster, A.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Hodel, U.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Lambertini, R.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Kordoš, P.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
External co-authors :
yes
Language :
English
Title :
An InAlAs-InGaAs OPFET with Responsivity Above 200 A/W at 1.3 µm Wavelength
Publication date :
1999
Journal title :
IEEE Photonics Technology Letters
ISSN :
1041-1135
eISSN :
1941-0174
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers, New York, United States - New York
