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Paper published in a book (Scientific congresses, symposiums and conference proceedings)
Vertical Silicon MOSFETs based on Selective Epitaxial Growth
Moers, J.; Tönnesmann, A.; Klaes, D. et al.
2000In Proc. 3rd International EuroConference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
 

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Disciplines :
Electrical & electronics engineering
Identifiers :
UNILU:UL-CONFERENCE-2009-431
Author, co-author :
Moers, J.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Tönnesmann, A.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Klaes, D.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Vescan, L.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
v.d.Hart, A.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Fox, A.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Marso, Michel ;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Kordoš, P.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Lüth, H.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
External co-authors :
yes
Language :
English
Title :
Vertical Silicon MOSFETs based on Selective Epitaxial Growth
Publication date :
2000
Event name :
3rd International EuroConference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
Event date :
2000
Main work title :
Proc. 3rd International EuroConference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
Pages :
67
Available on ORBilu :
since 28 March 2015

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