Reference : Vertical Silicon MOSFETs based on Selective Epitaxial Growth |
Scientific congresses, symposiums and conference proceedings : Paper published in a book | |||
Engineering, computing & technology : Electrical & electronics engineering | |||
http://hdl.handle.net/10993/20651 | |||
Vertical Silicon MOSFETs based on Selective Epitaxial Growth | |
English | |
Moers, J. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany] | |
Tönnesmann, A. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany] | |
Klaes, D. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany] | |
Vescan, L. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany] | |
v.d.Hart, A. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany] | |
Fox, A. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany] | |
Marso, Michel ![]() | |
Kordoš, P. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany] | |
Lüth, H. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany] | |
2000 | |
Proc. 3rd International EuroConference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems | |
67 | |
No | |
3rd International EuroConference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems | |
2000 | |
http://hdl.handle.net/10993/20651 |
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