Vertical Silicon MOSFETs based on Selective Epitaxial Growth

Reference : Vertical Silicon MOSFETs based on Selective Epitaxial Growth


	Document type :	Scientific congresses, symposiums and conference proceedings : Paper published in a book
	Discipline(s) :	Engineering, computing & technology : Electrical & electronics engineering
	To cite this reference:	http://hdl.handle.net/10993/20651

Title :	Vertical Silicon MOSFETs based on Selective Epitaxial Growth
Language :	English
Author, co-author :	Moers, J. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Tönnesmann, A. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Klaes, D. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Vescan, L. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	v.d.Hart, A. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Fox, A. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Marso, Michel [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Kordoš, P. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
	Lüth, H. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Publication date :	2000
Main document title :	Proc. 3rd International EuroConference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
Pages :	67
Peer reviewed :	No
Event name :	3rd International EuroConference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
Event date :	2000
Permalink :	http://hdl.handle.net/10993/20651

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