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Paper published in a journal (Scientific congresses, symposiums and conference proceedings)
A Novel InAlAs/InGaAs Layer Structure for Monolithically Integrated Photoreceiver,
Hodel, U.; Orzati, A.; Marso, Michel et al.
2000In Proceedings of 2000 Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials, p. 466
 

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Disciplines :
Electrical & electronics engineering
Identifiers :
UNILU:UL-CONFERENCE-2009-407
Author, co-author :
Hodel, U.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Orzati, A.;  a) Electromagnetic Fields and Microwave Electronics Laboratory, Swiss Federal Institute of Technology, CH-8092 Zurich
Marso, Michel ;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Homan, O.;  a) Electromagnetic Fields and Microwave Electronics Laboratory, Swiss Federal Institute of Technology, CH-8092 Zurich
Fox, A.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Hart, A. V D;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Förster, A.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Kordoš, P.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
Lüth, H.;  Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany
External co-authors :
yes
Language :
English
Title :
A Novel InAlAs/InGaAs Layer Structure for Monolithically Integrated Photoreceiver,
Publication date :
2000
Event name :
2000 Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials
Event date :
2000
Journal title :
Proceedings of 2000 Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials
Pages :
466
Available on ORBilu :
since 28 March 2015

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