Material and Device Issues of GaN-based HEMTs

Kordoš, P.; Alam, A.; Betko, J.; Chow, P. P.; Heuken, M.; Javorka, P.; Kočan, M.; MARSO, Michel; Morvic, M.; van Hove, J. M.

doi:10.1109/EDMO.2000.919030

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Communication publiée dans un ouvrage (Colloques, congrès, conférences scientifiques et actes)

Material and Device Issues of GaN-based HEMTs

Kordoš, P.; Alam, A.; Betko, J. et al.

2000 • In Proceedings of the 8th International Symposium on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (EDMO),

Permalien
https://hdl.handle.net/10993/20648

DOI
10.1109/EDMO.2000.919030

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Disciplines :

Ingénierie électrique & électronique

Identifiants :

UNILU:UL-CONFERENCE-2009-400

Auteur, co-auteur :

Kordoš, P.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich, Germany

Alam, A.; AIXTRON AG, D-52072 Aachen, Germany

Betko, J.

Chow, P. P.

Heuken, M.; AIXTRON AG, D-52072 Aachen, Germany

Javorka, P.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich, Germany

Kočan, M.; Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich, Germany

MARSO, Michel ; University of Luxembourg > Faculty of Science, Technology and Communication (FSTC) > Engineering Research Unit

Morvic, M.

van Hove, J. M.

Co-auteurs externes :

yes

Langue du document :

Anglais

Titre :

Material and Device Issues of GaN-based HEMTs

Date de publication/diffusion :

2000

Nom de la manifestation :

8th International Symposium on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (EDMO),

Date de la manifestation :

2000

Titre de l'ouvrage principal :

Proceedings of the 8th International Symposium on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (EDMO),

Pagination :

61-66

Disponible sur ORBilu :

depuis le 28 mars 2015

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