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Communication publiée dans un périodique (Colloques, congrès, conférences scientifiques et actes)
Varactor Diodes based on an AlGaN/GaN HEMT layer structure
MARSO, Michel; Wolter, M.; Bernát, J. et al.
2001In EProc. EDMO
 

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Détails



Disciplines :
Ingénierie électrique & électronique
Identifiants :
UNILU:UL-CONFERENCE-2009-428
Auteur, co-auteur :
MARSO, Michel ;  University of Luxembourg > Faculty of Science, Technology and Communication (FSTC) > Engineering Research Unit ; Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Wolter, M.;  Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Bernát, J.;  Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Javorka, P.;  Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Fox, A.;  Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Kordoš, P.;  Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Co-auteurs externes :
yes
Langue du document :
Anglais
Titre :
Varactor Diodes based on an AlGaN/GaN HEMT layer structure
Date de publication/diffusion :
2001
Nom de la manifestation :
EDMO
Date de la manifestation :
2001
Titre du périodique :
EProc. EDMO
Disponible sur ORBilu :
depuis le 28 mars 2015

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