Vertical Double-Gate MOSFET Based on Epitaxial Growth

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Communication publiée dans un périodique (Colloques, congrès, conférences scientifiques et actes)

Moers, J.; Trellenkamp, St; Vescan, L. et al.

2001 • In Proceedings of the 31st European Solid State Devices Research Conference, Nürnberg, Germany, p. 191-194

Permalien
https://hdl.handle.net/10993/20633

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Disciplines :

Ingénierie électrique & électronique

Identifiants :

UNILU:UL-CONFERENCE-2009-429

Auteur, co-auteur :

Moers, J.; Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

Trellenkamp, St; Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

Vescan, L.; Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

MARSO, Michel ; Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

Kordoš, P.; Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

Lüth, H.; Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

Co-auteurs externes :

yes

Langue du document :

Anglais

Titre :

Vertical Double-Gate MOSFET Based on Epitaxial Growth

Date de publication/diffusion :

2001

Nom de la manifestation :

31st European Solid State Devices Research Conference, Nürnberg, Germany

Date de la manifestation :

2001

Titre du périodique :

Proceedings of the 31st European Solid State Devices Research Conference, Nürnberg, Germany

Pagination :

191-194

Disponible sur ORBilu :

depuis le 28 mars 2015

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