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Communication publiée dans un ouvrage (Colloques, congrès, conférences scientifiques et actes)
Investigation of current collapse in doped and undoped AlGaN/GaN HEMTs
Wolter, M.; Javorka, P.; MARSO, Michel et al.
2002In Proc. 4th Intern. Conf. Advanced Semicon. Dev. & Microsystems
 

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Disciplines :
Ingénierie électrique & électronique
Identifiants :
UNILU:UL-CONFERENCE-2009-392
Auteur, co-auteur :
Wolter, M.;  Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Javorka, P.;  Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
MARSO, Michel ;  Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Carius, R.;  Institute of Photovoltaics, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Heuken, H.;  AIXTRON AG, D-52072 Aachen, Germany
Lüth, H.;  Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Kordoš, P.;  Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany
Co-auteurs externes :
yes
Langue du document :
Anglais
Titre :
Investigation of current collapse in doped and undoped AlGaN/GaN HEMTs
Date de publication/diffusion :
2002
Nom de la manifestation :
4th Intern. Conf. Advanced Semicon. Dev. & Microsystems
Date de la manifestation :
2002
Titre de l'ouvrage principal :
Proc. 4th Intern. Conf. Advanced Semicon. Dev. & Microsystems
ISBN/EAN :
0-7803-7276-X
Pagination :
299-302 (2002)
Disponible sur ORBilu :
depuis le 26 mars 2015

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