MSM Diodes Based on an AlGaN/GaN HEMT Layer Structure for Varactor and Photodiode Application

MARSO, Michel; Bernát, J.; Wolter, M.; Javorka, P.; Fox, A.; Kordoš, P.

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Communication publiée dans un ouvrage (Colloques, congrès, conférences scientifiques et actes)

MSM Diodes Based on an AlGaN/GaN HEMT Layer Structure for Varactor and Photodiode Application

MARSO, Michel; Bernát, J.; Wolter, M. et al.

2002 • In , Proc. 4th Intern. Conf. Advanced Semicon. Dev. & Microsystems

Permalien
https://hdl.handle.net/10993/20614

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Détails

Disciplines :

Ingénierie électrique & électronique

Identifiants :

UNILU:UL-CONFERENCE-2009-403

Auteur, co-auteur :

MARSO, Michel ; Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

Bernát, J.; Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

Wolter, M.; Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

Javorka, P.; Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

Fox, A.; Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

Kordoš, P.; Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, D-52425 Jülich, Germany

Co-auteurs externes :

yes

Langue du document :

Anglais

Titre :

MSM Diodes Based on an AlGaN/GaN HEMT Layer Structure for Varactor and Photodiode Application

Date de publication/diffusion :

2002

Nom de la manifestation :

4th Intern. Conf. Advanced Semicon. Dev. & Microsystems

Date de la manifestation :

2002

Titre de l'ouvrage principal :

, Proc. 4th Intern. Conf. Advanced Semicon. Dev. & Microsystems

ISBN/EAN :

0-7803-7276-X

Pagination :

295-298

Commentaire :

4th Intern. Conf. Advanced Semicon. Dev. & Microsystems

Disponible sur ORBilu :

depuis le 26 mars 2015

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Bibliographie

M. Marso, M. Horstmann, H. Hardtdegen, P. Kordoš, and H. Lüth, Electrical behaviour of the InP/InGaAs based MSM-2DEG diode, Solid-State Electronics 41 (1997) 25-31
M. Marso, M. Wolter, P. Javorka, A. Fox, and P. Kordoš, AlGaN/GaN Varactor Diode for Integration in HEMT Circuits, Electronics Letters 37 (2001) 1478-1479
V. Duez, X. Mélique, O. Vanbésien, P. Mounaix, F. Mollot, and D. Lippens, High capacitance ratio with GaAs/InGaAs/AlAs heterostructure quantum well-barrier varactors, Electronics Letters 34 (1998), 1860-1861