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Communication publiée dans un périodique (Colloques, congrès, conférences scientifiques et actes)
Peculiarities of low frequency noise in GaN-based high electron mobility transistors
Vitusevich, S. A.; Petrychuk, M. V.; Klein, N. et al.
2003In Proceedings of 17th Internat. Conf. Noise and Fluctuations ICNF, p. 789-793
 

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Disciplines :
Ingénierie électrique & électronique
Identifiants :
UNILU:UL-CONFERENCE-2009-377
Auteur, co-auteur :
Vitusevich, S. A.;  Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, 52425 Jülich, Germany
Petrychuk, M. V.
Klein, N.;  Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, 52425 Jülich, Germany
Danylyuk, S. V.;  Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, 52425 Jülich, Germany
Javorka, P.;  Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, 52425 Jülich, Germany
MARSO, Michel ;  Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, 52425 Jülich, Germany
Kordoš, P.;  Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, 52425 Jülich, Germany
Lüth, H.;  Institute of Thin Films and Interfaces, Research Centre Jülich, 52425 Jülich, Germany
Belyaev, A. E.
Langue du document :
Anglais
Titre :
Peculiarities of low frequency noise in GaN-based high electron mobility transistors
Date de publication/diffusion :
2003
Nom de la manifestation :
17th Internat. Conf. Noise and Fluctuations ICNF
Date de la manifestation :
2003
Titre du périodique :
Proceedings of 17th Internat. Conf. Noise and Fluctuations ICNF
Pagination :
789-793
Disponible sur ORBilu :
depuis le 24 mars 2015

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