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Demande de tiré à part

Impact of surface treatment under the gate on the current collapse of unpassivated AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
Kordoš, P.; Bernát, J.; Gregušová, D. et al.
2006 • In Semiconductor Science and Technology, 21 (2006), p. 67-71

Document(s) souhaité(s)
135_SST_21_2006_67_71.pdf

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