Reference : Submicrometer Silicon Permeable Base Transistors with Buried CoSi2 Gates
Scientific journals : Article
Engineering, computing & technology : Electrical & electronics engineering
http://hdl.handle.net/10993/20753
Submicrometer Silicon Permeable Base Transistors with Buried CoSi2 Gates
English
Schüppen, A. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany]
Vescan, L. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany]
Marso, Michel mailto [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany]
v.d.Hart, A. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany]
Lüth, H. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, W-5170 Jülich, Germany]
Beneking, H. [Institut für Halbleitertechnk, Sommerfeldstraße, W-5100 Aachen, Germany]
1993
Electronics Letters
Institution of Engineering & Technology
29
1993
215-217
Yes (verified by ORBilu)
0013-5194
http://hdl.handle.net/10993/20753

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