Reference : A Novel InP/InGaAs Photodetector Based on a 2DEG layer structure
Scientific congresses, symposiums and conference proceedings : Paper published in a book
Engineering, computing & technology : Electrical & electronics engineering
http://hdl.handle.net/10993/20750
A Novel InP/InGaAs Photodetector Based on a 2DEG layer structure
English
Marso, Michel mailto [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Horstmann, M. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Rüders, F. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Hollricher, O. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Hardtdegen, H. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Kordoš, P. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Lüth, H. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
1994
Proceedings of the 6th International Conference on InP and Related Compounds, Santa Barbara, California USA
512-515
No
6th International Conference on InP and Related Compounds, Santa Barbara, California USA
1994
http://hdl.handle.net/10993/20750

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