Reference : Novel InP/GaInAs Photodetector for Integration in HEMT Circuits
Scientific congresses, symposiums and conference proceedings : Paper published in a book
Engineering, computing & technology : Electrical & electronics engineering
http://hdl.handle.net/10993/20747
Novel InP/GaInAs Photodetector for Integration in HEMT Circuits
English
Horstmann, M. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Marso, Michel mailto [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Schimpf, K. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Rüders, F. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
v.d.Hart, A. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Hollfelder, M. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Hardtdegen, H. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Kordoš, P. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Lüth, H. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
1995
Proceedings of the 25th European Solid State Devices Research Conference, Den Haag, The Netherlands
443-446
No
25th European Solid State Devices Research Conference, Den Haag, The Netherlands
1995
http://hdl.handle.net/10993/20747

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