Reference : InP-Based Monolithically Integrated Photoreceiver for 4-10Gbit/s Optoelectronic Systems
Scientific congresses, symposiums and conference proceedings : Paper published in a book
Engineering, computing & technology : Electrical & electronics engineering
http://hdl.handle.net/10993/20711
InP-Based Monolithically Integrated Photoreceiver for 4-10Gbit/s Optoelectronic Systems
English
Horstmann, M. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Hardtdegen, H. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Schimpf, K. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Muttersbach, J. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Lehmann, R. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Marso, Michel mailto [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Kordoš, P. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
1996
Proceedings of the Gallium Arsenide Application Symposium GAAS 96, Paris, France
3B2
No
Gallium Arsenide Application Symposium GAAS 96, Paris, France
1996
http://hdl.handle.net/10993/20711

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