Reference : Optoelectronic D.C. and R.F. behavior of InP/InGaAs Based HEMTs
Scientific journals : Article
Engineering, computing & technology : Electrical & electronics engineering
http://hdl.handle.net/10993/20658
Optoelectronic D.C. and R.F. behavior of InP/InGaAs Based HEMTs
English
Marso, Michel mailto [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Horstmann, M. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Hardtdegen, H. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Kordoš, P. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
1998
Solid-State Electronics
Pergamon Press - An Imprint of Elsevier Science
42
1998
197-200
Yes (verified by ORBilu)
0038-1101
http://hdl.handle.net/10993/20658

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