Reference : Vertical Silicon MOSFETs based on Selective Epitaxial Growth
Scientific congresses, symposiums and conference proceedings : Paper published in a book
Engineering, computing & technology : Electrical & electronics engineering
http://hdl.handle.net/10993/20651
Vertical Silicon MOSFETs based on Selective Epitaxial Growth
English
Moers, J. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Tönnesmann, A. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Klaes, D. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Vescan, L. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
v.d.Hart, A. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Fox, A. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Marso, Michel mailto [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Kordoš, P. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Lüth, H. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
2000
Proc. 3rd International EuroConference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
67
No
3rd International EuroConference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
2000
http://hdl.handle.net/10993/20651

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