Reference : A Novel InAlAs/InGaAs Layer Structure for Monolithically Integrated Photoreceiver,
Scientific congresses, symposiums and conference proceedings : Paper published in a journal
Engineering, computing & technology : Electrical & electronics engineering
http://hdl.handle.net/10993/20650
A Novel InAlAs/InGaAs Layer Structure for Monolithically Integrated Photoreceiver,
English
Hodel, U. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Orzati, A. [a) Electromagnetic Fields and Microwave Electronics Laboratory, Swiss Federal Institute of Technology, CH-8092 Zurich]
Marso, Michel mailto [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Homan, O. [a) Electromagnetic Fields and Microwave Electronics Laboratory, Swiss Federal Institute of Technology, CH-8092 Zurich]
Fox, A. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Hart, A. V D [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Förster, A. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Kordoš, P. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
Lüth, H. [Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany]
2000
Proc. 2000 Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials
466
No
2000 Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials
2000
http://hdl.handle.net/10993/20650

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